半导体mos管你知道用在哪吗？它应用于开关电源，电动马达、照明调光等。
MOS管也是基本元器件，面对不同封装、不同特性、不同品牌的MOS管时，该如何选择？看看老司机是怎么选购？
MOS管的两种结构：N沟道型和P沟道型，结构不一样，电压极性也不一样，有低应用电压与宽应用电压。
低应用电压：当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。
宽电压应用：当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
晶扬工程师教你如何选购？
1.确定电压
MOS管选购，首要考虑漏源电压 VDS。 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。
2.确定电流
其次考虑漏极电流的选择。电流的确定需从两个方面着手：连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。选好额定电流后，还必须计算导通损耗。
3.确定热量要求及损耗
采购人员须考虑两种不同的情况：最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据，比如封装器件的半导体结与环境之间的热阻，以及最大的结温。
结温=最大环境温度（热阻×功率耗散）。根据这个方程可解出系统的最大功率耗散=I2×RDS(ON)。
4.确定开关性
影响MOS管开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/源极及漏极/源极电容。因为在每次开关时都要对这些电容充电，会在器件中产生开关损耗；MOS管的开关速度也因此被降低，器件效率随之下降；其中，栅极电荷(Qgd)对开关性能的影响最大。
5.产品封装
不同的封装尺寸MOS管具有不同的热阻和耗散功率，需要考虑系统的散热条件和环境温度，基本原则就是在保证功率MOS管的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOS管。
晶扬电子的MOS管封装的SOP-8、SOT-23火爆市场。N沟道MOS管TNM3K60FE，TNM2K30K，TNM01K20F开启电压低，导通内阻小，封装小 ，我们关注MOS管每个参数，确保电压，电流，功耗优化产品参数，降低成本。
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工程师在选择MOS管时，要根据产品使用场景需求，是选N型还是P型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等电路设计来选择，从而获得最佳的产品设计体验。
除考虑产品性能，成本也是因素之一，只有高性价比的产品，获得市场认同及效益最大化。
